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有關(guān)晶體熔沸點(diǎn)比較的問題，是歷年考試的一大考點(diǎn)，通常是結(jié)合不同種晶體類型的性質(zhì)進(jìn)行對比設(shè)置題目，容易出選擇題，難度不大，但是需要記憶。

1.不同晶體類型的物質(zhì)的熔沸點(diǎn)高低順序

一般是：原子晶體>離子晶體>分子晶體同一晶體類型的物質(zhì)，則晶體內(nèi)部粒子間的作用越強(qiáng)，熔、沸點(diǎn)越高。

2.原子晶體要比較共價(jià)鍵的強(qiáng)弱

一般地說，原子半徑越小，形成的共價(jià)鍵的鍵長越短，鍵能越大，其晶體熔、沸點(diǎn)越高。如：金剛石>碳化硅>晶體硅。

3.離子晶體要比較離子鍵的強(qiáng)弱

一般地說，陰陽離子的電荷數(shù)越多，離子半徑越小，則離子間的作用就越強(qiáng)，其離子晶體的熔、沸點(diǎn)就越高。如：NaCl>KCl>RbCl>CsCl。

4.分子晶體

①結(jié)構(gòu)和組成相似的物質(zhì)，相對分子質(zhì)量越大，熔、沸點(diǎn)越高(注意氫鍵影響)，如：HF>HI>HBr>HCl。

②相對分子量接近的物質(zhì)，極性越強(qiáng)，熔、沸點(diǎn)越高，如：CO>N2。

③在同分異構(gòu)體中，一般地說，支鏈越多(越對稱)，熔、沸點(diǎn)越低，如：正戊烷>異戊烷>新戊烷。

④在同分異構(gòu)體的芳香烴及其衍生物中，其熔、沸點(diǎn)高低順序一般是：鄰>間>對位化合物。

5.金屬晶體

金屬晶體中金屬離子半徑越小，離子電荷數(shù)越多，其金屬鍵越強(qiáng)，金屬熔、沸點(diǎn)越高。如：Al>Mg>Na;Li>Na>K>Rb>Cs。

合金的熔、沸點(diǎn)一般來說比它個(gè)成分純金屬的熔、沸點(diǎn)低。如：鋁硅合金<純鋁。

【例題精煉】

下面的排序不正確的是( )。A.晶體熔點(diǎn)由低到高：CF4碳化硅>晶體硅C.晶格能由大到?。篘aF>NaCl>NaBr>NaID.熔點(diǎn)由高到低：Na>Mg>Al【考點(diǎn)】晶體的類型與物質(zhì)的性質(zhì)的相互關(guān)系及應(yīng)用。【答案】D。解析：A.分子晶體的相對分子質(zhì)量越大，熔沸點(diǎn)越大，則晶體熔點(diǎn)由低到高順序?yàn)镃F4碳化硅>晶體硅，故B正確;C.離子半徑越小、離子鍵越強(qiáng)，則晶格能越大，F(xiàn)、Cl、Br、I的離子半徑在增大，則晶格能由大到?。篘aF>NaCl>NaBr>NaI，故C正確;D.金屬離子的電荷越大、半徑越小，其熔點(diǎn)越大，則熔點(diǎn)由高到低為Al>Mg>Na，故D錯(cuò)誤;故選：D?？疾榫w的性質(zhì)比較。注重于穩(wěn)定性、熔沸點(diǎn)比較豐富、晶格能的大小等知識(shí)，題目難度不大，注意影響晶體熔沸點(diǎn)高低的因素。

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